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厂商型号

NTDV18N06LT4G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

277-NTDV18N06LT4G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

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美国费城
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NTDV18N06LT4G产品详细规格

规格书 NTDV18N06LT4G datasheet 规格书
NTDV18N06LT4G datasheet 规格书
NTDV18N06LT4G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 18A
Rds(最大)@ ID,VGS 65 mOhm @ 9A, 5V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 22nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 675pF @ 25V
功率 - 最大 2.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 18 A
RDS -于 65@5V mOhm
最大门源电压 ±15 V
典型导通延迟时间 9.9 ns
典型上升时间 79 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型下降时间 38 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±15
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
最大功率耗散 55000
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 65@5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
包装高度 2.38(Max)
最大连续漏极电流 18
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 18A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装 DPAK-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 65 mOhm @ 9A, 5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.1W
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 675pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 22nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2500
RoHS RoHS Compliant

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